FeRAM相关论文
Ferroelectric-Gate Thin-film Transistor Fabricated by Nano-imprinting Lithography with Precise Align
In recent years, a ferroelectric-gate thin film transistor (FGT) using a ferroelectric-gate insulator and an active oxid......
FeRAM铁电存储器是一种高性能的存储器,它有着RAM快速读写的特性和ROM的非易失的特性,具有低功耗,操作速度快、抗辐射性能强的特点......
本文简单介绍了铁电存储器、磁性随机存储器和相变存储器这三种比较有发展潜力存储器的原理、研究进展及存在的问题等。
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新型铁电IC卡已有了适合用作电子货币及其相关应用的产品．这种由MatsushitaElectronics和Mototrola的Indala两家公司联合开发的集成......
铁电存储器是将铁电材料集成于半导体存储器的新型存储器,由于材料的特性它同时具有高速、高密度、低功耗和不挥发的优点.铁电存储......
该论文以不挥发非破坏性读出铁电存储器MFIS为主要研究对象,具有较高的理论意义和实际意义.目前,铁电存储器研究的主要问题集中在......
近年来,集成铁电学(integrated ferroelectrics)迅速发展.铁电体是一种特殊的电介质,在不存在外场的情况下,它仍然可以保持一个自......
精工爱普生在“第53届应用物理学相关组织演讲会”上宣布，成功地在柔性底板上制作出晶体管型有机FeRAM元件，并已确认可作为非挥发性......
制备ＭＦＩＳ存储器的铁电薄膜一般选用抗疲劳特性好的ＳＢＴ铁电薄膜，介质层一般选用ＺｒＯ２作为阻挡层，以克服电荷注入效应，改进器件的性能。在ＭＦＩＳ研制中，ＳＢＴ薄膜......
从描述铁电电容的P－V滞回特性出发，本文在ZSTT宏模型的基础上提出了一个改进的铁电电容宏模型，并成功利用此模型对铁电存储器（FeRAM)进......
分析了MFIS FET的工作机理以及影响MFIS电容的存储窗口特性的因素,提出用存储窗口与铁电薄膜正、负矫顽电压的差值来评价存储窗口......
随着集成铁电工艺的迅速发展和铁电电容的广泛应用,铁电电容模型的缺乏已成为制约基于铁电电容电路设计和优化的瓶颈.文中提出的非......
东京理工大学和富士通微电子已经联合开发出用于新一代非易失性铁电随机存储器（Ferroelectric Random Access Memory，FeRAM）的材料和......
“MR45V100A／MR44V100A”1Mb铁电存储器（FeRAM）面向需要高速高频率的日志数据获取和紧急时高速数据备份的智能仪表／计量设备／医疗设备／金......
研究了sol-gel掺锡氧化铟(ITO)溶胶在SiO2/Si衬底和光学玻璃衬底上的成膜及结晶性能,并与CVD法生长的ITO薄膜作了对比.结论是,sol-......
应用非晶的Ti-Al薄膜作为导电阻挡层，通过溶胶-凝胶法和磁控溅射法成功地在Si基片上制备了La0.5Sr0.5CoO3/Pb（Nb0.02Zr0.39Ti0.59）O3/......
东京工业大学、富士通实验室和富士通有限公司已经联合开发出一种用于新一代非易失铁电随机存储器（FeRAM）的新型材料。这种铋、铁、......
描述铁电薄膜存储器在智能卡中的应用，并与半导体存储器比较。...
港芯科技一向致力于开发和生产以CPU为主的智能卡芯片，广泛地在不同的领域中使用。特别是非接触式智能卡芯片，早于2005年推出首个FeR......
富士通日前面向物流领域质量管理系统，推出了配备256B（相当于2kbit）FeRAM的RFID标签芯片。2005年8月1日开始销售。......
提出了一种全新的基于铁电存储器FeRAM编程的非挥发FPGA思想(概念),它主要是针对基于SRAM的FPGA的掉电挥发性问题提出的.文章在采......
目前，业界对两大类全新的非易失性存储器进行了可行性调研，其中一类是基于无机材料的存储器技术，如铁电存储器（FeRAM）、磁阻存储器（MRAM）......
日益增长的信息技术对更高集成度、高速、低功耗集成电路的需求，驱使晶体管的尺寸越来越小，随之而来的问题是作为MOS栅氧化物和DRAM......
